Mémoires de Magister "Mathématique"

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Parcourir la collection Mémoires de Magister "Mathématique" par Sujet "Ab-initio"

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    Etude AB-INITIO des propriétés électroniques de GaN/InN/AIN : effets de polarisation
    (Université Oran1 Ahmed Ben Bella, 2014-06-22) BOUTELDJA Noureddine
    Dans ce travail, nous procédons la méthode des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total FP-LAPW implémenté dans le code Wien2k pour étudier systématiquement l'origine des effets de polarisation des matériaux GaN,InN et AlN, ces matériaux à grande largeur de bande interdite sont très intéressants pour les applications électroniques et optoélectroniques en Ultra-violet, cependant, ces matériaux sont handicapés par les effets de polarisation interne qui détériorent les performances des composants. Au chapitre I, nous présentons les matériaux III-N (GaN, AlN, InN), et leurs propriétés ainsi que les alliages ternaires InxGa1-xN, AlxGa1-xN et InxAl1-xN, ensuite les propriétés des déférents types des hétérostructures à puits quantiques InxGa1-xN /GaN, nous présentons aussi la propriétés de la polarisations spontanée et piézoélectrique des ces matériaux. Au chapitre II, nous présentons nos résultats de calculs ab-initio que nous avons réalisé au sein de notre Laboratoire L.E.M.O.P par le code Wien2k appliqué aux nitrures GaN, InN, AlN et l'alliage de ternaire InxGa1-xN de concentration d'indium de pas de 25? dans les trois phases wurtzite, zinc blende et rocksalt par l'Approximation du Gradient Généralisé GGA et l'Approximation de la Densité Locale LDA.Au chapitre III, nous présentons l'étude théorique de la polarisation spontanée et piézoélectrique dans InxGa1-xN.
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    Etude AB-INITIO des propriétés électroniques de ZnO/MgO/CdO : effets de polarisation
    (Université Oran1 Ahmed Ben Bella, 2014-06-22) BOUCHAREB Fatima Zohra
    Dans ce travail, nous procédons à une étude théorique ab-initio des propriétés électroniques et des effets de polarisation internes, spontanée et piézoélectrique des oxydes II-VI à large bande interdite ZnO, MgO, CdO et MgxZn1-xO, ces matériaux ont des propriétés de polarisation très intéressantes pour certaines applications particulières. Au chapitre I, Nous présentons les propriétés structurales et électroniques de ZnO, MgO, CdO, et MgxZn1-xO, ainsi que la théorie de la polarisation. Au chapitre II, Nous présentons la théorie ab-initio de la fonctionnelle de la densité DFT et la méthode de calcul des ondes planes augmentées linéarisées à potentiel total (FP LAPW)Au chapitre III, Nous montrons nos résultats de calculs ab-initio que nous avons effectué au sein de notre Laboratoire L.E.M.O.P. sur les oxydes ZnO, MgO, CdO et MgxZn1-xO avec le code WIEN2k basé sur la théorie DFT-FP LAPW, dans les deux approximations du code, GGA du gradient généralisées et LDA de la densité locale. Au chapitre IV, Nous présentons les modèles de calcul ab-initio de la polarisation. Ensuite nous étudions les effets de polarisation dans le système ZnO/MgxZn1-xO.