Croissance des matériaux chalcogéniures et des métaux (Ag, In, Mg et Au) par la technique MBE sur des couches de nitrures d'aluminium
Croissance des matériaux chalcogéniures et des métaux (Ag, In, Mg et Au) par la technique MBE sur des couches de nitrures d'aluminium
Fichiers
Date
2019-06-19
Auteurs
KHOUSSA Hassan
Nom de la revue
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Titre du volume
Éditeur
Université Oran1 Ahmed Ben Bella
Résumé
Dans ce travail, nous nous sommes intéressés à l'étude de la croissance épitaxiale des nano-îlots métalliques de : In, Ag, Mg et Au sur des surfaces de couches minces de nitrure d'aluminium (AlN (0001) que nous avons préparées sur du carbure de silicium (SiC (0001)) massif. Le nitrure d'aluminium est un matériau qui peut avoir des propriétés semi-conductrices ou isolantes, c'est un matériau à large bande interdite directe (6.2 eV), ayant des propriétés électriques et thermiques intéressantes. Le nitrure d'aluminium est intéressant pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques de hautes performances en émission ou en détection tels que les DELs, les lasers ou les photo-détecteurs. Malheureusement, l'obtention de bonnes couches d'AlN (0001) n'est pas facile à élaborer. Les difficultés de son élaboration, les problèmes liés à la présence de densités élevées de défauts cristallins dans les couches épitaxiées constituent des handicaps majeurs au développement des technologies AlN. Le présent travail réside dans la continuité de ce qui a été fait antérieurement en élaborant par la technique de croissance MBE des couches de nitrure d'aluminium sur des substrats de carbure de silicium orienté dans le plan (0001). Nous avons donc étudié les dépôts de ces métaux sur la surface reconstruite AlN (0001) (2x2) -Nad par les techniques RHEED, NC-AFM et KPFM. Ces techniques nous ont permis d'observer différents modes de croissance.
Description
Mots clès
Croissance; EJM (épitaxie par jet moléculaire); NC AFM (Microscopie à Force Atomique); Nitrures des semi-conducteurs; Nano-ilots métalliques; Ultra Vide (UHV-DUF); Energie de Gap; Carbure de silicium; Nitrure d'aluminium; Couche Mince.
Mots-clés
Croissance, EJM (épitaxie par jet moléculaire), NC AFM (Microscopie à Force Atomique), Nitrures des semi-conducteurs, Nano-ilots métalliques, Ultra Vide (UHV-DUF), Energie de Gap, Carbure de silicium, Nitrure d'aluminium, Couche Mince