Croissance des matériaux chalcogéniures et des métaux (Ag, In, Mg et Au) par la technique MBE sur des couches de nitrures d'aluminium

Notice brève
dc.contributor.authorKHOUSSA Hassan
dc.date.accessioned2022-11-10T09:07:43Z
dc.date.available2022-11-10T09:07:43Z
dc.date.issued2019-06-19
dc.descriptionMots clès Croissance; EJM (épitaxie par jet moléculaire); NC AFM (Microscopie à Force Atomique); Nitrures des semi-conducteurs; Nano-ilots métalliques; Ultra Vide (UHV-DUF); Energie de Gap; Carbure de silicium; Nitrure d'aluminium; Couche Mince.
dc.description.abstractDans ce travail, nous nous sommes intéressés à l'étude de la croissance épitaxiale des nano-îlots métalliques de : In, Ag, Mg et Au sur des surfaces de couches minces de nitrure d'aluminium (AlN (0001) que nous avons préparées sur du carbure de silicium (SiC (0001)) massif. Le nitrure d'aluminium est un matériau qui peut avoir des propriétés semi-conductrices ou isolantes, c'est un matériau à large bande interdite directe (6.2 eV), ayant des propriétés électriques et thermiques intéressantes. Le nitrure d'aluminium est intéressant pour la réalisation de dispositifs optoélectroniques de hautes performances en émission ou en détection tels que les DELs, les lasers ou les photo-détecteurs. Malheureusement, l'obtention de bonnes couches d'AlN (0001) n'est pas facile à élaborer. Les difficultés de son élaboration, les problèmes liés à la présence de densités élevées de défauts cristallins dans les couches épitaxiées constituent des handicaps majeurs au développement des technologies AlN. Le présent travail réside dans la continuité de ce qui a été fait antérieurement en élaborant par la technique de croissance MBE des couches de nitrure d'aluminium sur des substrats de carbure de silicium orienté dans le plan (0001). Nous avons donc étudié les dépôts de ces métaux sur la surface reconstruite AlN (0001) (2x2) -Nad par les techniques RHEED, NC-AFM et KPFM. Ces techniques nous ont permis d'observer différents modes de croissance.
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/616
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité Oran1 Ahmed Ben Bella
dc.subjectCroissance
dc.subjectEJM (épitaxie par jet moléculaire)
dc.subjectNC AFM (Microscopie à Force Atomique)
dc.subjectNitrures des semi-conducteurs
dc.subjectNano-ilots métalliques
dc.subjectUltra Vide (UHV-DUF)
dc.subjectEnergie de Gap
dc.subjectCarbure de silicium
dc.subjectNitrure d'aluminium
dc.subjectCouche Mince
dc.titleCroissance des matériaux chalcogéniures et des métaux (Ag, In, Mg et Au) par la technique MBE sur des couches de nitrures d'aluminium
dc.typeThesis
grade.Co-rapporteurGAUTHIER S., Directeur de recherche, CEMES, CNRS Toulouse
grade.ExaminateurGABOUZE Noureddine, Directeur de recherche, CRTS Alger
grade.ExaminateurTAIBI Hamed, Professeur, Université Oran 1
grade.ExaminateurHAMZAOUI Saad, Professeur, USTO Oran
grade.InviteGHAMNIA Mostefa, Professeur, Université Oran 1
grade.PrésidentHAMOU Ahmed, Professeur, Université Oran 1
grade.RapporteurBELHADJI Maamar, Professeur, Université Oran 1
l'article.1.DateParution10 octobre 2017
l'article.1.RevuePHYSICAL REVIEW APPLIED
l'article.1.Référence8, 044002 (2017)
l'article.1.TitreStabilization of Au Monatomic-High Islands on the (2 × 2)Nad Reconstructed Surface of Wurtzite AlN(0001)
l'article.2.DateParution06 septembre 2011
l'article.2.RevueJournal of Crystallization Process and Technology
l'article.2.Référence2011, 1, 63-65
l'article.2.TitreTellurium Crystallisation in GeTeSb System
la.MentionTrès Honorables
la.SpécialitéPHYSIQUE DES MATERIAUX
la.coteTH5051
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