Analyse des propriétés physiques des couches minces de silicium déposées par pulvérisation cathodique
Analyse des propriétés physiques des couches minces de silicium déposées par pulvérisation cathodique
Date
2025-06-22
Auteurs
FELLOUH Fatima
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Résumé
Les couches minces de silicium occupent une place importante dans le domaine des matériaux semiconducteurs, en raison de leurs nombreuses applications dans les dispositifs électroniques et photovoltaïques. Cependant, l’optimisation de leurs propriétés physiques et optiques reste un défi majeur, car celles-ci dépendent fortement des conditions de dépôt et des paramètres expérimentaux. L’objectif de ce travail est d’étudier les propriétés optiques et structurales des couches minces de silicium élaborées par pulvérisation cathodique (RF sputtering). Ce travail s’inscrit dans le cadre des recherches visant à améliorer la qualité des couches minces et à comprendre l’influence des paramètres de dépôt sur leurs caractéristiques. Les couches ont été déposées sous différentes conditions expérimentales, en particulier en variant la puissance RF et la température de substrat. Afin de caractériser ces couches, plusieurs techniques ont été utilisées, notamment la spectroscopie UV-Visible et la spectroscopie infrarouge (FTIR). L’analyse des spectres obtenus a permis de déterminer des paramètres importants tels que l’épaisseur, l’indice de réfraction et le gap optique. Les résultats expérimentaux montrent que la variation de la puissance RF a une influence significative sur les propriétés optiques des couches minces de silicium. Une amélioration de la qualité des films a été observée dans certaines conditions, ce qui permet d’identifier les paramètres optimaux pour l’élaboration de couches performantes. Ces résultats confirment l’importance du contrôle des conditions de dépôt dans l’optimisation des propriétés des couches minces, et ouvrent des perspectives intéressantes pour leur utilisation dans des applications électroniques et optoélectroniques.