Modélisation électrique d'hétérostructures semiconductrices à base d'antimoine

Notice brève
dc.contributor.authorBOUKREDIMI Djamel
dc.date.accessioned2022-11-27T19:50:51Z
dc.date.available2022-11-27T19:50:51Z
dc.date.issued2007-11-20
dc.description.abstractLe travail que nous effectuons dans le cadre de cette thèse concerne la modélisation de composants optoélectroniques pour les applications dans le moyen infrarouge. Compte tenu de sa large étendue spectrale, le domaine infrarouge est généralement subdivisé en trois régions le proche infrarouge, le moyen infrarouge et l’infrarouge lointain . notre étude portera sur les solutions solides quaternaires GaInAsSb et GaAlAsSb qui apparaissent, donc, comme des matériaux de choix pour la réalisation des composants moyen infrarouge. De plus, les hétérostructures mixtes à base de ces matériaux présentent un réel potentiel pour la réalisation de lasers et de détecteurs performants aux longueurs d’onde 3‐5 μm et 8‐12 μm des fenêtres atmosphériques.
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/1223
dc.language.isofr
dc.subjectMoyen infrarouge
dc.subjectCapacité-tension
dc.subjectGaInAsSb
dc.subjectAffinité corrigée
dc.subjectModélisation électrique
dc.subjectPolarisation directe
dc.subjectGaAlAsSb
dc.subjectPorteurs libres
dc.subjectForte injection
dc.subjectBand-offsets
dc.titleModélisation électrique d'hétérostructures semiconductrices à base d'antimoine
grade.ExaminateurA. KADOUN, Professeur, Université S.B.A.
grade.ExaminateurA. KHALIL, Professeur, Université Oran
grade.Examinateur.D. SIB, Professeur, Université Oran
grade.OptionPHYSIQUE DU SOLIDE
grade.PrésidentL. CHAHED, Professeur, Université Oran
grade.RapporteurM. MEBARKI, Professeur, Université Oran
la.SpécialitéPhysique
la.coteTH2519
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