Modélisation électrique d'hétérostructures semiconductrices à base d'antimoine
Modélisation électrique d'hétérostructures semiconductrices à base d'antimoine
Fichiers
Date
2007-11-20
Auteurs
BOUKREDIMI Djamel
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Éditeur
Résumé
Le travail que nous effectuons dans le cadre de cette thèse concerne la
modélisation de composants optoélectroniques pour les applications dans le
moyen infrarouge. Compte tenu de sa large étendue spectrale, le domaine
infrarouge est généralement subdivisé en trois régions le proche infrarouge, le
moyen infrarouge et l’infrarouge lointain .
notre étude portera sur les solutions solides quaternaires GaInAsSb
et GaAlAsSb qui apparaissent, donc, comme des matériaux de choix pour la
réalisation des composants moyen infrarouge. De plus, les hétérostructures
mixtes à base de ces matériaux présentent un réel potentiel pour la réalisation
de lasers et de détecteurs performants aux longueurs d’onde 3‐5 μm et 8‐12 μm
des fenêtres atmosphériques.
Description
Mots-clés
Moyen infrarouge, Capacité-tension, GaInAsSb, Affinité corrigée, Modélisation électrique, Polarisation directe, GaAlAsSb, Porteurs libres, Forte injection, Band-offsets