Simulation par la méthode Monte Carlo de la croissance du silicium amorphe hydrogéné déposé par PECVD

dc.contributor.authorBOUHEKKA Ahmed
dc.date.accessioned2023-02-22T10:18:11Z
dc.date.available2023-02-22T10:18:11Z
dc.date.issued2005-11-05
dc.description.abstractNous présenterons ce travail en quatre chapitres : - Dans le chapitre I, nous décrivons quelques propriétés essentielles du a-Si :H, ainsi que les méthodes de dépôt de ce matériau semi-conducteur, et en particulier la méthode PECVD, en déterminant le précurseur majeur (le radical SiH3) pour l’obtention d’un bon matériau. - Le chapitre II, est consacré à l’étude détaillée du modèle théorique de la Croissance, où on exposera les réactions possibles du radical SiH₃, en surface du silicium amorphe hydrogéné, et les procédures d’élimination de l’hydrogène Pendant la croissance. - Le troisième chapitre traite les outils théoriques de modélisation, et la description du modèle numérique de simulation basé sur une approche Monte Carlo, proposé pour décrire la croissance du a-Si :H. - Les résultats de simulation (contenu d’hydrogène, densité de défauts, rugosité de surface,…), seront exposés, et discutés dans le dernier chapitre.
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/3569
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité Oran 1 Ahmed Ben Bella
dc.subjectSi :H; PECVD; SiH₃; croissance du silicium amorphe; Monte carlo; hydrogéné.
dc.titleSimulation par la méthode Monte Carlo de la croissance du silicium amorphe hydrogéné déposé par PECVD
dc.typeThesis
grade.Co-rapporteurJ.D.SIB, Professeur, Université Oran 1
grade.ExaminateurM. A. HADJAJ, Professeur, Université de Reims ,France
grade.ExaminateurM. N. HADJ ZOUBIR, Professeur, Université de Tiaret
grade.GradeMagister
grade.PrésidentM. L. CHAHED, Professeur, Université Oran 1
grade.RapporteurA.KEBAB , MC, Université Oran 1
la.SpécialitéSciences Des Matériaux
la.coteTH2056
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