Simulation par la méthode Monte Carlo de la croissance du silicium amorphe hydrogéné déposé par PECVD
Simulation par la méthode Monte Carlo de la croissance du silicium amorphe hydrogéné déposé par PECVD
Fichiers
Date
2005-11-05
Auteurs
BOUHEKKA Ahmed
Nom de la revue
ISSN de la revue
Titre du volume
Éditeur
Université Oran 1 Ahmed Ben Bella
Résumé
Nous présenterons ce travail en quatre chapitres :
- Dans le chapitre I, nous décrivons quelques propriétés essentielles du a-Si :H, ainsi que les méthodes de dépôt de ce matériau semi-conducteur, et en particulier la méthode PECVD, en déterminant le précurseur majeur (le radical SiH3) pour l’obtention d’un bon matériau.
- Le chapitre II, est consacré à l’étude détaillée du modèle théorique de la
Croissance, où on exposera les réactions possibles du radical SiH₃, en surface du silicium amorphe hydrogéné, et les procédures d’élimination de l’hydrogène
Pendant la croissance.
- Le troisième chapitre traite les outils théoriques de modélisation, et la description du modèle numérique de simulation basé sur une approche Monte Carlo, proposé pour décrire la croissance du a-Si :H.
- Les résultats de simulation (contenu d’hydrogène, densité de défauts, rugosité de surface,…), seront exposés, et discutés dans le dernier chapitre.
Description
Mots-clés
Si :H; PECVD; SiH₃; croissance du silicium amorphe; Monte carlo; hydrogéné.