Etude théorique de la polarisation dans les semiconducteurs de la famille des nitrures : application aux photopiles solaires a multi-puits quantiques inxga1-xn/gan .

Notice brève
dc.contributor.authorBELADJAL Khaled ibn el walid
dc.date.accessioned2022-10-27T09:19:33Z
dc.date.available2022-10-27T09:19:33Z
dc.date.issued2021-12-16
dc.description.abstractIn this Ph.D. thesis, we will conduct a deep study of the polarization effect in III-V nitrides semiconductors: GaN, InN, AlN and InxGa1-xN as well as InxGa1-xN/GaN multiple quantum well nanostructures. We use different theories as ab-intio, k.P, Schr?dinger-Poisson…, we will then study the consequences on the InxGa1-xN/GaN multiple quantum well based solar cells. The objective of this work is to study the spontaneous polarization in III-nitrides alloys using the Berry Phase approach as implemented in the Full Potential Linearized Augmented Plane Wave method (BerryPI software). Then we determine the piezoelectric polarization through the study of structural, elastic properties using DFT computations in conjunction with Martin's transformation. Finally, we examined the effect of polarization on the performance of InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells.
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/248
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité Oran1 Ahmed Ben Bella
dc.subjectPolarization
dc.subjectIII-Nitrides
dc.subjectSolar Cells
dc.subjectMultiple Quantum Well
dc.subjectInxGa1-xN and GaN. GaN
dc.subjectInN
dc.subjectAlN
dc.subjectDFT
dc.subjectBerry Phas
dc.subjectBerryPI software
dc.titleEtude théorique de la polarisation dans les semiconducteurs de la famille des nitrures : application aux photopiles solaires a multi-puits quantiques inxga1-xn/gan .
dc.typeThesis
grade.ExaminateurZAOUI Ali , Professeur, Université Sidi-Bel-Abbès
grade.ExaminateurMOULAYAT Nasredine, Professeur, Université Oran 1
grade.ExaminateurBARKAT Lamia, Professeur, Université Oran 1
grade.ExaminateurADNANE Mohamed, Professeur, U.S.T.M Boudiaf, ORAN
grade.PrésidentZITOUNI Karima, Professeur, Université Oran 1
grade.RapporteurKADRI Abderrahmane , Professeur, Université Oran 1
l'article.1.DateParution30/04/2021
l'article.1.RevueSuperlattices and Microstructures
l'article.1.Référencehttps://doi.org/10.1016/j.spmi.2021.106901
l'article.1.TitreBandgap bowing parameters of III-nitrides semiconductors alloys
la.MentionTrès honorables
la.SpécialitéPHYSIQUE: NANO PHYSIQUE DES LASERS ET OPTOELECTRONIQUE
la.coteTH5298
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