Etude de la photoconductivité et des propriétés optoélectroniques des dispositifs à base de semi-conducteur nanocristallin

Notice brève
dc.contributor.authorBENHABARA Hadj
dc.date.accessioned2026-04-22T08:50:29Z
dc.date.available2026-04-22T08:50:29Z
dc.date.issued2026-01-29
dc.description.abstractCe travail porte sur l’étude des couches minces de silicium nanocristallin hydrogéné (nc-Si:H) pour des applications photovoltaïques et optoélectroniques. Le silicium cristallin offre une haute efficacité mais présente un coût de fabrication élevé. Le silicium amorphe, bien que moins coûteux, souffre d’une dégradation photo-induite limitant ses performances. Le nc-Si:H apparaît comme une alternative prometteuse grâce à sa meilleure stabilité et ses propriétés optiques avantageuses. L’objectif principal est d’étudier la corrélation entre la fraction cristalline et les propriétés de transport électrique. Les films ont été déposés par pulvérisation cathodique RF sous différentes conditions expérimentales. La caractérisation a été réalisée par plusieurs techniques telles que DRX, Raman, AFM et ellipsométrie. Les résultats montrent une amélioration de la cristallinité avec l’augmentation de la température du substrat. Les propriétés électriques et optiques dépendent fortement des conditions de dépôt et de la microstructure. Cette étude ouvre des perspectives pour l’optimisation des dispositifs photovoltaïques et électroniques à base de nc-Si:H.
dc.formatPDF
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/5191
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité Oran1
dc.subjectSilicium nanocristallin hydrogéné; couches minces; transport électronique; photovoltaïque; optimisation.
dc.titleEtude de la photoconductivité et des propriétés optoélectroniques des dispositifs à base de semi-conducteur nanocristallin
dc.typeThesis
grade.ExaminateurLOUNIS Mourad, Professeur, Université Relizane
grade.ExaminateurBENCHOUK Kheireddine, Professeur, Université Oran 1
grade.ExaminateurSENOUCI Khaled, Professeur, Université de Mostaganem
grade.ExaminateurZIANI Nossair, Professeur, Université Mohamed Boudiaf
grade.GradeDoctorat sciences
grade.InviteSIB Jamal Dine, Professeur (en retraite), Université Oran 1
grade.InviteCHAHI Mokhtar, MCB, Ecole Supérieure ESGEE
grade.OptionSciences des Matériaux
grade.PrésidentCHIALI Selma, Professeur, Université Oran 1
grade.RapporteurKAIL Fatiha, Professeur, Université Oran 1 -A.B
l'article.1.DateParution25 February 2019
l'article.1.RevueJOURNAL OF NANO- AND ELECTRONIC PHYSICS
l'article.1.RéférenceVol. 11 No 1, 01014(5pp) (2019), Том 11 № 1, 01014(5cc) (2019), DOI: 10.21272/jnep.11(1).01014
l'article.1.TitreCrystalline Volume Fraction Effect on the Electronic Properties of Hydrogenated Microcrystalline Silicon c-Si:H Investigated by Ellipsometry and AMPS-1D Simulation
la.MentionTrès Honorables
la.SpécialitéPhysique
la.coteTH5645
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