Etude de la photoconductivité et des propriétés optoélectroniques des dispositifs à base de semi-conducteur nanocristallin
Etude de la photoconductivité et des propriétés optoélectroniques des dispositifs à base de semi-conducteur nanocristallin
Fichiers
Date
2026-01-29
Auteurs
BENHABARA Hadj
Nom de la revue
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Éditeur
Université Oran1
Résumé
Ce travail porte sur l’étude des couches minces de silicium nanocristallin hydrogéné (nc-Si:H) pour des applications photovoltaïques et optoélectroniques. Le silicium cristallin offre une haute efficacité mais présente un coût de fabrication élevé. Le silicium amorphe, bien que moins coûteux, souffre d’une dégradation photo-induite limitant ses performances. Le nc-Si:H apparaît comme une alternative prometteuse grâce à sa meilleure stabilité et ses propriétés optiques avantageuses.
L’objectif principal est d’étudier la corrélation entre la fraction cristalline et les propriétés de transport électrique. Les films ont été déposés par pulvérisation cathodique RF sous différentes conditions expérimentales. La caractérisation a été réalisée par plusieurs techniques telles que DRX, Raman, AFM et ellipsométrie. Les résultats montrent une amélioration de la cristallinité avec l’augmentation de la température du substrat. Les propriétés électriques et optiques dépendent fortement des conditions de dépôt et de la microstructure. Cette étude ouvre des perspectives pour l’optimisation des dispositifs photovoltaïques et électroniques à base de nc-Si:H.
Description
Mots-clés
Silicium nanocristallin hydrogéné; couches minces; transport électronique; photovoltaïque; optimisation.