Dépôt et caractérisation optique du silicium nanocristallin
Dépôt et caractérisation optique du silicium nanocristallin
Fichiers
Date
2012-06-25
Auteurs
ADDA Habib
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Résumé
Le Présent mémoire porte sur le dépôt et la caractérisation optique du silicium nanocristallin, à cette fin nous avons utilisé la technique de pulvérisation cathodique radiofréquence à effet magnétron pour le dépôt des couches minces de silicium amorphe et crocristallin. Etant donné que les techniques de caractérisation optique sont des méthodes d'analyses non destructives et jouent un rôle central pour obtenir des informations sur la structure des matériaux. Nous avons effectué des mesures de transmission optique dans le domaine du visible et dans le proche infrarouge sur une gamme spectrale allant de 400 à 2500 nm. Le but étant de vérifier l'uniformité de l'épaisseur des films, de déterminer le gap optique ET, le gap moyen Em et l'indice statique n0, ainsi que l'énergie de dispersion EW, des mesures par la spectroscopie infrarouge à transformé de Fourier (FTIR) ont été effectué par la suite pour avoir des informations précises sur les modes de liaisons de l'hydrogène aux atomes de silicium, ainsi que pour avoir des informations sur la concentration d'hydrogène lié sous les différentes configurations.
Description
Mots-clés
Silicium nanocristallin, Pulvérisation cathodique, Caractérisation optique, Ellipsométrie, Transmission optique, Spectroscopie infrarouge, Swanepoel, Incohérente, Puissance radiofréquence, Dilution de l'argon