Thèses de Doctorat "Physique"

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Parcourir la collection Thèses de Doctorat "Physique" par Auteur "BAGHDAD Rachid"

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    Optimisation des propriétés structurelles et optoélectronique du silicium nanocristallin déposé par pulvérisation cathodique radiofréquence assistée d’un magnétron en vue de son utilisation pour la conversion photovoltaique de l'energie solaire
    (2007-12-15) BAGHDAD Rachid
    L'Etude détaillée des films de silicium nanocristallin hydrogène (nc-Si :H) déposé par pulvérisation cathodique radiofréquence assistée d'un magnétron (RFMS), a différentes pressions de gaz (2, 3 et 4 Pa) pour des pressions partielles d'argon et d'hydrogène fixes (30% d'argon et 70% d'hydrogène), une puissance radiofréquence de 200 W (densité de puissance radiofréquence est de 0.9 W.cm-2) et a différentes températures du substrat (Température ambiante,100, 150 et 200°C), montre l'effet de ces deux paramètres sur les propriétés structurelles et électriques sur ces couches minces de nc-Si : H. En effet en combinant les différentes techniques de caractérisation que ce soit pour l'étude structurelle (Spectroscopie IR, Spectroscopie Raman, METC et METHR ) ou l'étude optoélectronique (Mesures de transmission optique UV-Vis et PDS) et la mesure de la conductivité électrique, nous avons aboutis aux résultats montrant que par cette technique de dépôt, nous pouvons obtenir du silicium nanocristallin (nc-Si :H) a température ambiante et aux pressions 3 et 4 Pa. Nous avons observe également une forte fraction volumique cristalline, supérieure a 80%, confirmant ainsi la mesure de la conductivité électrique a température ambiante qui varie de 4.42 x10-8 a 4.7 x 10-3 (oméga.cm)-1 pour les couches déposés a 3 et 4 Pa, comparée a celle des films complètement amorphe déposés a la pression de 2 Pa et qui est autour de 8.6x10-12 a 1.7x 10-11 (oméga.cm)-1. L'énergie d'activation varie de 0.2 a 0.4 eV pour les films nanocristallins. Par ailleurs, nous avons mis en évidence, que dans ces conditions de plasma, elle existe une pression limite (seuil), située entre 2 et 3 Pa pour laquelle on assiste a une transition de la phase amorphe a celle nanocristalline