Modélisation de la caractéristique capacité - tension de jonctions à profil de dopages réels et levée des anomalies du modèle de William Shockley
Modélisation de la caractéristique capacité - tension de jonctions à profil de dopages réels et levée des anomalies du modèle de William Shockley
| dc.contributor.author | ALLOUCHE Habib | |
| dc.date.accessioned | 2022-11-28T19:35:36Z | |
| dc.date.available | 2022-11-28T19:35:36Z | |
| dc.date.issued | 2010-06-06 | |
| dc.description.abstract | Le travail que nous avons effectué dans le cadre de ce mémoire concerne la modélisation de structures semiconductrices à homojonction. Le premier chapitre a été consacré au comportement de la caractéristique capacité tension de profils de dopage idéaux cités dans la littérature à savoir la jonction abrupte à dopages uniformes et la jonction linéaire vu que ces deux profils sont les deux cas limites du profil réel. Nous avons montré que, pour ces deux profils idéaux, l’homojonction se comporte comme un condensateur plan. Dans le second chapitre, nous avons pu montrer qu’une jonction pn, à profil de dopage quelconque, en faisant des approximations légitime et justifiées, se comporte comme un condensateur plan dans le cadre de l’approximation de Shokley. Ce comportement semblable à un condensateur a été généralisé. Les informations que l’on peut tirer de la caractéristique capacité tension sont seulement la largeur de la zone de charge d’espace et le dopage effectif. Enfin, dans le quatrième chapitre nous avons levé les deux anomalies que présente le modèle de Shokley à savoir le fait que la capacité devient infini pout une polarisation appliquée proche du potentiel de diffusion (pas de sens physique) et qu’elle ne soit même pas définie pour une tension supérieure au potentiel de diffusion. Nous avons même proposé une loi d’évolution de la caractéristique capacité tension d’une jonction symétrique pour toute la gamme des tensions appliquées (inverses et directes). Dans Le troisième chapitre, nous avons fait une modélisation des extensions de la zone de la zone de charges d’espace de jonctions à profils de dopages réels à savoir le gaussien et en erreur fonction complémentaire et proposé un modèle original. Enfin, dans le quatrième chapitre nous avons levé les deux anomalies que présente le modèle de Shokley à savoir le fait que la capacité devient infini pout une polarisation appliquée proche du potentiel de diffusion (pas de sens physique) et qu’elle ne soit même pas définie pour une tension supérieure au potentiel de diffusion. Nous avons même proposé une loi d’évolution de la caractéristique capacité tension d’une jonction symétrique pour toute la gamme des tensions appliquées (inverses et directes). | |
| dc.format | ||
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/1465 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | Université oran1 Ahmed Ben Bella | |
| dc.subject | Homojonction | |
| dc.subject | Dopage | |
| dc.subject | Modèle de Shokley | |
| dc.subject | Champ électrique | |
| dc.subject | Capacité de transition | |
| dc.subject | Densités de porteurs libres | |
| dc.subject | Jonction Erfc-contant | |
| dc.subject | Capacité tension | |
| dc.title | Modélisation de la caractéristique capacité - tension de jonctions à profil de dopages réels et levée des anomalies du modèle de William Shockley | |
| grade.Examinateur | D. BOURBIE, Maitre de conférences, Université d’Oran | |
| grade.Examinateur | D. BOUKREDIMI, Maitre de conférences, Université d’Oran | |
| grade.Option | Physique des matériaux | |
| grade.Président | A.E.F DJEMAI, Professeur, Université d’Oran | |
| grade.Rapporteur | Djamel BOUKREDIMI, Maitre de conférences, Université d’Oran | |
| la.Spécialité | Physique | |
| la.cote | TH3141 |
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