Modélisation de la capacité de structures L.G.J et S.S.J et extraction de paramètres électriques

Notice brève
dc.contributor.authorBoukredimi Assia
dc.date.accessioned2022-12-06T13:39:06Z
dc.date.available2022-12-06T13:39:06Z
dc.date.issued2016-06-29
dc.description.abstractLa modélisation des composants à semiconducteurs reste toujours un thème d'actualité et d'intérêt considérable. Un paramètre fondamental dans la conception des dispositifs à semiconducteur est la capacité de jonction. Elle peut affecter les caractéristiques électriques courant-tension et capacité-tension ainsi que la tension de claquage du dispositif. Notre travail consiste à la modélisation de la charge et de la capacité de structures L.G.J et S.S.J dans un cadre plus générale. En conséquence, une idée originale a été mise au point afin d’obtenir la caractéristique capacité-tension relative à ces deux type de structures sans accéder à la distribution du potentiel électrique dans la structure pour toute la gamme des tensions appliquées via la loi d’action de masse et l’équation de Poisson. Un modèle unifié de la caractéristique capacité-tension relatif aux jonctions réelles a été proposé. Enfin, une modélisation de la caractéristique courant-tension de diodes à jonction via la notion de circuit électrique équivalent a été développée.
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/2765
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité oran1 Ahmed Ben Bella
dc.subjectCapacité de jonction, Modélisation, Structure LGJ, Structure SSJ, Loi d’action de masse, Equation de Poisson, Fonction de Lambert, Jonction réelle, Circuit électrique équivalent, Modèle bi-diode
dc.titleModélisation de la capacité de structures L.G.J et S.S.J et extraction de paramètres électriques
grade.ExaminateurAdnane Mohamed
grade.ExaminateurTebboune Abdelghani
grade.ExaminateurKouskoussa Belkacem
grade.OptionPropriétés Optiques et Electroniques des Nouveaux Matériaux Organiques et Inorganiques
grade.PrésidentKhelil Abdelbacet
grade.RapporteurBenchouk Kheireddine
l'article.1.DateParutionJuin 2014
l'article.1.RevueJournal of Computational Electronics
l'article.1.RéférenceJ Comput Electron (2014) 13477-489 DOI 10.1007/s10825-014-0558-z
l'article.1.TitreNew capacitance-voltage model for linearly graded junction
l'article.2.DateParutionDécembre2014
l'article.2.RevueJournal of Computational Electronics
l'article.2.RéférenceJ Comput Electron (2014) 13971-982 DOI 10.1007/s10825-014-0617-5
l'article.2.TitreNew capacitance-voltage model for linearly graded junction
la.MentionTrès Honorable
la.SpécialitéPhysique
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