Etude des propriétés optoélectroniques des hétérostructures wurtzite contraintes à base de nitrure III-V GaN\GaAlN
Etude des propriétés optoélectroniques des hétérostructures wurtzite contraintes à base de nitrure III-V GaN\GaAlN
| dc.contributor.author | BOUHADI MOKDAD Naouel | |
| dc.date.accessioned | 2023-02-22T10:28:07Z | |
| dc.date.available | 2023-02-22T10:28:07Z | |
| dc.date.issued | 2006-06-06 | |
| dc.description.abstract | Dans ce travail nous avons étudié les propriétés Optoélectroniques des hétérostructures quantifiées à base des nitrures III-N würtzite et zinc-blende. Pour cela nous utilisons un modèle de calcul théorique de type perturbatif k.P basé sur la fonction enveloppe, nous avons ainsi calculé Les courbes de dispersion dans le plan perpendiculaire à l'axe de croissance pour ces deux réseaux (WZ) et (ZB) et ce pour différentes largeurs de puits. Ensuite, nous avons étudié la polarisation de charge, les effets de la piézoélectricité et de la polarité Gallium (Ga) ou azote (N )aux interfaces des hétérostructures würtzite contraintes AlGaN/ GaN, InGaN/ GaN et AllnN/GaN. Ensuite nous avons étudié les effets de la polarisation sur les transistors conventionnels HFET Metal/AIGaN/GaN et sur les transistors HFET à double couches Metal/GaN/AlGaN/GaN. Nous avons mis en évidence l'effet Stark confiné en étudiant les effets de piezo-électricité dans la structure würtzite. Nous avons également calculé le gain optique la densité du courant seuil et le gain différentiel dans la structure laser GaN/AIGaN pour la structure würtzite et la structure zinc-blende en tenant compte de l'effet de la contrainte biaxiale. Nous avons encore étudié l'effet du dopage type n et type p sur les caractéristiques d'un laser würtzite et zinc-blende. Nous avons montré que le fait de doper le GaN par des accepteurs, augmente le gain optique et le gain différentiel. Tandis que pour le dopage de type n, le gain et le gain différentiel sont affectés pour de faibles densités de porteurs injectés. Les résultats actuels nous permettent d'optimiser les paramètres de la structure laser à puits quantique GaN/AIGaN qui cristallisent dans la phase würtzite et zinc-blende. Enfin nous sommes intéressées aux propriétés de l'effet tunnel résonnant de trous dans les hétérostructures à double barrières nitrures wûrtzite et zinc-blende AIGAN/GAN/AIGAN. Pour calculer la transmission et le courant tunnel résonnant de trous, nous avons utilisé la technique de la matrice de transfert basée sur l'approximation de la fonction enveloppe. Les résultats de ces calculs nous donnent des informations sur la réponse des dispositifs électroniques à base de matériaux nitrures zinc- blende et wûrtzite. | |
| dc.format | ||
| dc.identifier.uri | https://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/3571 | |
| dc.language.iso | fr | |
| dc.publisher | Université Oran 1 Ahmed Ben Bella | |
| dc.subject | Hétérostructures wurtzite et zinc-blende; GaN/Al0.8Ga0.2N; Champ cristallin; Couplage spin-orbitale; Contrainte biaxiale; Polarisation piézo-électrique; Polarisation spontanée; Polarité Gallium(Ga); Polarité Azote(N); Transistors HFET; Gain optique; | |
| dc.title | Etude des propriétés optoélectroniques des hétérostructures wurtzite contraintes à base de nitrure III-V GaN\GaAlN | |
| dc.type | Thesis | |
| grade.Examinateur | M.FERHAT, Professeur, U.S.T. Oran | |
| grade.Examinateur | B.BOUHAFS, Professeur, Université de Sidi –Bel-Abbés | |
| grade.Examinateur | M.KADRI, Maitre de Conférence, U.S.T.Oran | |
| grade.Grade | Doctorat | |
| grade.Président | L. CHAHED, Professeur, Université Oran | |
| grade.Rapporteur | K.ZITOUNI, Professeur, Université Oran | |
| la.Spécialité | Micro Opto Electronique | |
| la.cote | TH2243 |
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