Simulation et modélisation de la caractéristique capacité-tension d'homojonction et détermination des offset de bande de l'interface GaInAsP/InP

Notice brève
dc.contributor.authorAllouche Habib
dc.date.accessioned2022-12-06T13:40:05Z
dc.date.available2022-12-06T13:40:05Z
dc.date.issued2016-05-04
dc.description.abstractDans notre travail, nous avons procédé à la modélisation de certaines grandeurs physiques relevant du domaine de la physique des semiconducteurs. Notre mémoire s’articule en trois parties distinctes. La première partie de la thèse a été consacré à la détermination des extensions de la zone de charge d’espace d’homojonctions à profil de dopage réel de part et d’autre de la jonction métallurgique. Les profils de dopage utilisés sont respectivement le profil gaussien-constant et le profil erfc-constant. Dans ce contexte, des modèles originaux ont été proposés. La deuxième partie relève de la modélisation de la caractéristique capacité-tension d’homojonctions abruptes à dopages uniformes dans un cadre général. Enfin, la troisième partie a été consacrée à la modélisation des offsets de bande de conduction et de valence relatives à l’interface GaInAsP/InP via certains modèles théoriques à savoir le modèle de base d’Anderson, le modèle des affinités électroniques, le modèle de Jaros et le modèle de Van de Walle. Les résultats obtenus sont en bon accord avec d’autres travaux (expérimentaux et numériques).
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/2766
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité oran1 Ahmed Ben Bella
dc.subjectModélisation, Profil gaussien-constant, Profil erfc-constant, Extensions de la ZCE, Capacité de jonction, Offsets de bande, Modèle d’Anderson, Modèle des affinités électroniques, Modèle de Jaros, Modèle de Van de Walle
dc.titleSimulation et modélisation de la caractéristique capacité-tension d'homojonction et détermination des offset de bande de l'interface GaInAsP/InP
grade.ExaminateurBaltache EL Hadj
grade.ExaminateurBenchouk Kheiredine
grade.ExaminateurTebboune Abdelghani
grade.ExaminateurKhanat Rabah
grade.OptionSciences des Matériaux
grade.PrésidentKhelil Abdel-Basset
grade.RapporteurBoukredimi Djamel
l'article.1.DateParution02 Avril 2013
l'article.1.RevueBulletin of Material Sciences dans Spinger
l'article.1.RéférenceBull.Mater.Sci.,Vol.36,No.2, april 2013,pp.251-258
l'article.1.TitreAccurate quasi static capacitance for abrupt homojunction under forward and reverse polarization
la.MentionTrès Honorable
la.SpécialitéPhysique
la.coteTH4640
Fichiers
Bundle original
Voici les éléments 1 - 1 sur 1
Vignette d'image
Nom :
TH4640.pdf
Taille :
2.62 MB
Format :
Adobe Portable Document Format
Description :
Télécharger
Collections
Thèses de Doctorat "Physique"