Etude des propriétés structurales et optoélectroniques des semi-conducteurs amorphes (a-Ge : H, a-SiGe : H) déposés par PECVD et nanocristallins intrinsèques et dopés (nc-Si : H) préparés par pulvérisation cathodique magnétron radiofréquence (RFMS)

Notice brève
dc.contributor.authorBELFEDAL Abdelkader
dc.date.accessioned2022-11-29T09:59:49Z
dc.date.available2022-11-29T09:59:49Z
dc.date.issued2009-05-06
dc.description.abstractles propriétés de ces matériaux (amorphes et nano/microcristallins) dépendent fortement des conditions de dépôt telles que la pression totale, la puissance communiquée au plasma, l’utilisation d'un gaz ou un mélange de gaz vecteur comme l’Argon et l’hydrogène, la température du substrat, tous ces paramètres jouent un rôle déterminant sur la nature des radicaux qui arrivent sur la surface des couches en croissance et sur les réactions entre le plasma et la surface de la couche. Il s’agit donc de processus complexes qui vont fortement dépendre des conditions opératoires. L’élément clé dans les mécanismes de la croissance et dans la cristallisation des couches amorphes et micro/nanocristallines pendant et/ou après le dépôt, est l’hydrogène, cela peut être à travers une sous couche qui peut atteindre plusieurs dizaines de nanomètres, endommagée par les ions de l’argon, ce qui permet à l’hydrogène moléculaire de diffuser au sein du volume de la couche pour casser les liaisons faibles, de combler les interstices et de cristalliser le volume de la couche.
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/1626
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité Oran 1 Ahmed Ben Bella
dc.subjectSemi-conducteurs Amorphes
dc.subjecta-Ge : H, a-SiGe : H
dc.subjectPECVD
dc.subjectnanocristallins
dc.subjectnc-Si : H
dc.subjectPulvérisation Cathodique Magnétron Radiofréquence (RFMS)
dc.subjectSilicium
dc.subjectMicrocristallin
dc.subjectMagnétron
dc.subjectSpectroscopie Raman
dc.subjectAbsorption Optique
dc.titleEtude des propriétés structurales et optoélectroniques des semi-conducteurs amorphes (a-Ge : H, a-SiGe : H) déposés par PECVD et nanocristallins intrinsèques et dopés (nc-Si : H) préparés par pulvérisation cathodique magnétron radiofréquence (RFMS)
grade.Co-rapporteurK. ZELLAMA, Professeur, Université de Picardie d'Amiens (France)
grade.ExaminateurF. HAMDACHE, Professeur, USTO
grade.ExaminateurD. J. SIB, Professeur, Université Oran
grade.ExaminateurM. KECHOUANE, Professeur, USTHB
grade.OptionSC/DES MATERIAUX
grade.PrésidentL. CHAHED, Professeur, Université Oran
grade.RapporteurY. BOUIZEM, Professeur, Université Oran
la.SpécialitéPhysique
la.coteTH2893
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