Etude des photodetecteurs ultra-violet à base d'heterostructures de nitrures III-N GaN/ AlGaN

Notice brève
dc.contributor.authorMECHEREF Rachid
dc.date.accessioned2022-11-23T15:56:03Z
dc.date.available2022-11-23T15:56:03Z
dc.date.issued2006-06-26
dc.description.abstractLa détection des rayonnements dans le domaine Ultra-Violet (lamda<400 nm) présente un intérêt considérable compte tenu du très fort potentiel d'applications dans de nombreux domaines extrêmement porteurs: médecine, communications, stockage et lecture des informations, dosimétrie, détecteurs d'incendie et de missiles, métrologie, spectroscopie UV, environnement,…. La plupart de ces applications nécessitent des détecteurs très sensibles aux rayonnements UV, mais en même temps insensibles aux rayonnements visible et Infra-Rouge. Parmi les techniques qui permettent de filtrer ce bruit de fond indésirable et d'amplifier le signal UV utile, nous nous intéressons aux photodétecteurs munis d'une cavité de résonance. L'objectif de cette étude est de présenter les différentes structures de photodétecteurs et, en particulier, les photodétecteurs à Cavité de Résonance de Bragg Distribuée (DBR), qui consiste en un empilement périodique de puits et de barrières quantiques destinées à produire une variation également périodique de l'indice de réfraction et dont la géométrie est ~ lamda /2. En raison de leurs propriétés particulières, les semiconducteurs à grand gap (Eg>3 eV), constituent le meilleur choix pour la réalisation de ces photodétecteurs Ultra-Violet. Dans le domaine des courtes longueurs d'ondes, les hétérostructures de nitrures GaN/AlGaN sont les plus performantes, en raison de toute une série de propriétés : un gap direct, un coefficient d'absorption de l'ordre de 4.104 cm-1 (lamda< 360 nm), possibilité de modulation de la réponse spectrale du détecteur et plus particulièrement son seuil de coupure, leur robustesse, leur résistance mécanique, leur résistance hermique,…Ceci ouvre la possibilité de réaliser des photodétecteurs UV très sélectifs, fiables, avec une longue durée de vie, capables de fonctionner en atmosphère hostile. Ce manuscrit est constitué de quatre chapitres. Le premier chapitre concerne une étude comparative des différents types de photodétecteurs, avec leurs différentes structures et leurs paramètres de base. Le chapitre deux est consacré à une étude comparative des différents matériaux à grand gap potentiels pour la réalisation de ce genre de photodétecteurs: SiC, Diamant, II-VI, Nitrures III-N. Au chapitre trois, nous abordons les photodétecteurs Solar-Blind à cavité de résonance de Bragg à base de GaN :AlGaN. Cette structure permet de filtrer les signaux indésirables et d'amplifier les signaux utiles. Le Chapitre quatre est consacré aux différentes applications des photodétecteurs et en particulier, les photodétecteurs solar-blind GaN/AlGaN.
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/1028
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité oran1 Ahmed Ben Bella
dc.subjectPhotodétecteur
dc.subjectUltra-Violet
dc.subjectCavité de résonance de Bragg
dc.subjectSolar-Blind
dc.subjectHétérostructures III-N
dc.subjectGaN
dc.subjectAlGaN
dc.subjectDiodes de Schottky
dc.titleEtude des photodetecteurs ultra-violet à base d'heterostructures de nitrures III-N GaN/ AlGaN
grade.ExaminateurL. DAHMANI Maître de Conférences, Université d’Oran
grade.ExaminateurN. HAMDADOU, Maître de Conférences, E.N.S.E.T. Oran
grade.ExaminateurA. KADRI, Professeur, Université d’Oran
grade.OptionMicro-Opto-Electronique
grade.PrésidentD.SIB, Professeur, Université d’Oran
grade.RapporteurK. ZITOUNI, Professeur, Université d’Oran
la.SpécialitéPhysique
la.coteTH2257
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