Etude des Nanostructures LASER à base de puits quantiques Hg1-xCdxTe/CdTe

dc.contributor.authorBAHI Fatima
dc.date.accessioned2022-11-29T11:00:55Z
dc.date.available2022-11-29T11:00:55Z
dc.date.issued2009-06-14
dc.description.abstractL'Objectif est d'étudier la faisabilité d'un LASER à base d'un puits quantique de matériaux semiconducteur II-VI : HgTe, CdTe, HgCdTe HgCdTe/CdTe qui caractérisé par : Couvrent la gamme spectral (8-12) micro m. Un courant de seuil très faible Un gain différentiel élevé Pour atteindre ce but nous allons pris quatre chapitre Le chapitre I : Nous ferrons le point sur les différents types des diodes laser à semiconducteur. Nous définirons les principes caractéristiques de ces diodes en particulier le laser à puits quantiques à base de HgCdTe/CdTe. Le chapitre II : Nous étudierons les semiconducteus tellurure, Nous verrons d?abord les binaires zincs blend HgTe, CdTe et leur alliage ternaire Hg1-xCdxTe. Ensuit, les différentes techniques de croissances et leur problème de croissance. Le chapitre III : Nous étudierons les propriétés optique et structurale des nanohétérostructures réaliser, Qui nous permettrons de calculer les niveaux de confinements dans le puits, ensuit le mesure de gain optique et le courant de seuil. Le chapitre IV : On montre les différents types d'application de LASER à base d?un puits quantiques HgCdTe/CdTe qui émette dans l'infrarouge lointain, L'analyse de gaz (contrôle de pollution atmosphérique suivant un possède industriels), en médecine (aide au diagnostique, micro chirurgie), ainsi dans le domaine militaire (guidage de missile, contre mesure), lidars
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/1687
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité Oran 1 Ahmed ben Bella
dc.subjectLASER
dc.subjectNanostructure
dc.subjectHgTe/CdTe/HgCdTe
dc.subjectPuits Quantique
dc.titleEtude des Nanostructures LASER à base de puits quantiques Hg1-xCdxTe/CdTe
grade.ExaminateurA. KADRI, Professeur, Université d'Oran
grade.ExaminateurA. ZANOUN, Professeur, E.N.S.E.T. d'Oran
grade.OptionMicro-opto-électronique
grade.PrésidentM. BELHADJI, Professeur, Université d'Oran,
grade.RapporteurK. ZITOUNI, Professeur, Université d'Oran
la.SpécialitéPhysique
la.coteTH2927
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