Etude des propriétée optoélectroniques du silicium polymorphe hydrogéné ( pm-Si : H )

Notice brève
dc.contributor.authorHASSAB Sofiane
dc.date.accessioned2022-11-30T11:26:48Z
dc.date.available2022-11-30T11:26:48Z
dc.date.issued2011
dc.description.abstractLa Densité d'états dans le gap (DOS) est une Propriété caractéristiques des semi-conducteurs amorphes. Sa détermination est nécessaire pour comprendre la physique et contrôler les propriétés électroniques de ces matériaux. Plusieurs études et expérimentales basées sur les mesures de photoconductivité ont été faites durant ces dernières années pour extraire la DOS de matériaux tels que le silicium amorphe hydrogéné ou silicium polymorphe. Notre travail consiste à analyser le photocourant généré par un flux lumineux continue et modulé d'une énergie inferieur à celle du gap de mobilité. Pour cela nous avons utilisé un model théorique qui prend on considération toutes les transitions électroniques (optiques et thermiques) entre les états localisés et les états étendus bande de valence et de conduction. Les transitions électroniques entre les états localisés ont été négligées à cause de leur très faible probabilité. L'expression qui décrit l'occupation des états localises est tirées des statistiques de Simmons et Taylor et le model de densité d'états choisit est celui de Mott-Davis. Pour nos calculs nous avons développé un programme sous MTLAB où la méthode de Newton-Raphson a été utilisée pour déterminer la partie continue du photocourant. Les résultats de la simulation montrent une variation exponentielle du photocourant dans la partie des grandes énergies où la largeur de la queue de bande de valence est déduite.L'étude de l'influence de la fréquence de modulation sur le phtocourant permet d'avoir des informations sur les états de la queue de bande de conduction ainsi que la distribution des défauts parfonds et donc la reconstitution totale de la densité d'états du matériau.
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/2113
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité oran1 Ahmed Ben Bella
dc.subjecta-Si : H
dc.subjectPm-Si : H
dc.subjectDensité d'états
dc.subjectPhotoconductivité
dc.subjectSpectroscopie sous le gap
dc.subjectAC-CPM
dc.subjectDC-CPM
dc.subjectMéthode MPC
dc.subjectMéthode DBP
dc.subjectCoefficient d'absorption optique
dc.titleEtude des propriétée optoélectroniques du silicium polymorphe hydrogéné ( pm-Si : H )
grade.ExaminateurY. Bouizem,Professeur, Université d’Oran
grade.ExaminateurA. Kebab,Professeur, Université d’Oran
grade.OptionSciences des matériaux
grade.PrésidentKhelil,Professeur, Université d’Oran
grade.RapporteurJ.D. Sib,Professeur, Université d’Oran
la.SpécialitéPhysique
la.coteTH3574
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