Propriétés de couches minces de silicium nanocristallins déposées par PECVD à partir d’un plasma de silane dilué avec l’argon

Notice brève
dc.contributor.authorAmrani Rachid
dc.date.accessioned2022-12-06T13:37:19Z
dc.date.available2022-12-06T13:37:19Z
dc.date.issued2016-04-05
dc.description.abstractL’objectif de cette thèse est de contribuer à la compréhension des propriétés optoélectroniques des couches minces de silicium hydrogéné. Une étude détaillée a été effectuée. Les échantillons ont été déposés par 13,56 MHz PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) à partir du silane dilué avec l’argon (96 %). La température du substrat a été fixée à 200˚C. L’influence des paramètres de dépôts sur les propriétés optiques des échantillons a été étudiée par spectroscopie UV -Vis -NIR. L’évolution structurale a été étudiée par spectroscopie Raman, TEM, AFM, FTIR et par diffraction des rayons X (XRD). La déposition des couches intrinsèques a été faite dans cette étude dans le but d’obtenir la transition de l’état amorphe à la phase cristalline des matériaux. La pression de dépôt varie de 400 mTorr à 1400 mTorr et la puissance de 50 à 250 W. La caractérisation structurale montre qu’au-delà de 160 W, nous avons observé une transition amorphe nanocristalline, avec une augmentation de la fraction cristalline en augmentant la puissance et la pression. Les couches sont déposées avec des vitesses de dépôt relativement élevées (3.5 – 8 A°/s), ce qui est très souhaitable pour la fabrication des cellules photovoltaïques. La vitesse de dépôt augmente avec l’augmentation de la puissance et de la pression. Des différentes fractions cristallines et tailles des cristallites ont été obtenues en contrôlant la pression et la puissance. Ces modifications de structure ont été corrélées avec la variation des propriétés optiques et électriques des couches minces déposées.
dc.formatpdf
dc.identifier.urihttps://dspace.univ-oran1.dz/handle/123456789/2760
dc.language.isofr
dc.publisherUniversité oran1 Ahmed Ben Bella
dc.subjectCouches minces, Silicium, PECVD, Transition amorphe nanocristalline, Poudres, Argon, Cellule solaire, Propriétés optiques, Propriétés Structurales, Propriétés électriques
dc.titlePropriétés de couches minces de silicium nanocristallins déposées par PECVD à partir d’un plasma de silane dilué avec l’argon
grade.ExaminateurTadjeddine Abderrahmane
grade.ExaminateurZellama Kacem
grade.ExaminateurKadoun Abd-Ed-Daïm
grade.ExaminateurKail Fatiha
grade.OptionPhysique des Matériaux
grade.PrésidentKhelil Abdelbasset
grade.RapporteurChahed Larbi
l'article.1.DateParution17 Mars 2008
l'article.1.RevueJournal of Non-Crystalline Solids
l'article.1.RéférenceJournal of Non-Crystalline Solids 354 (2008) 2291–2295
l'article.1.TitreLow-temperature growth of nanocrystalline silicon films prepared by RF magnetron sputtering Structural and optical studies
l'article.2.DateParution22 Novembre 2012
l'article.2.RevueCrystal Structure Theory and Applications
l'article.2.RéférenceCrystal Structure Theory and Applications, 2012, 1, 57-61
l'article.2.TitreAmorphous-Nanocrystalline Transition in Silicon Thin Films Obtained by Argon Diluted Silane PECVD
l'article.3.DateParution23 Novembre 2012
l'article.3.RevueCrystal Structure Theory and Applications
l'article.3.RéférenceCrystal Structure Theory and Applications, 2012, 1, 62-67
l'article.3.TitreLow Temperature Growth of Hydrogenated Silicon Prepared by PECVD from Argon Diluted Silane Plasma
l'article.4.DateParution01 Février 2012
l'article.4.RevueJournal of Non-Crystalline Solids
l'article.4.RéférenceJournal of Non-Crystalline Solids 358 (2012) 1978–1982
l'article.4.TitreOptical and structural proprieties of nc-SiH prepared by argon diluted silane PECVD
la.MentionTrès Honorable
la.SpécialitéPhysique
la.coteTH4599
Fichiers
Bundle original
Voici les éléments 1 - 1 sur 1
Vignette d'image
Nom :
TH4599.pdf
Taille :
77.12 MB
Format :
Adobe Portable Document Format
Description :
Télécharger
Collections
Thèses de Doctorat "Physique"