Departement de Physique

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Simulation et modélisation de la caractéristique capacité-tension d'homojonction et détermination des offset de bande de l'interface GaInAsP/InP
(Université oran1 Ahmed Ben Bella, 2016-05-04) Allouche Habib
Dans notre travail, nous avons procédé à la modélisation de certaines grandeurs physiques relevant du domaine de la physique des semiconducteurs. Notre mémoire s’articule en trois parties distinctes. La première partie de la thèse a été consacré à la détermination des extensions de la zone de charge d’espace d’homojonctions à profil de dopage réel de part et d’autre de la jonction métallurgique. Les profils de dopage utilisés sont respectivement le profil gaussien-constant et le profil erfc-constant. Dans ce contexte, des modèles originaux ont été proposés. La deuxième partie relève de la modélisation de la caractéristique capacité-tension d’homojonctions abruptes à dopages uniformes dans un cadre général. Enfin, la troisième partie a été consacrée à la modélisation des offsets de bande de conduction et de valence relatives à l’interface GaInAsP/InP via certains modèles théoriques à savoir le modèle de base d’Anderson, le modèle des affinités électroniques, le modèle de Jaros et le modèle de Van de Walle. Les résultats obtenus sont en bon accord avec d’autres travaux (expérimentaux et numériques).